时间：2025/7/7 10:40:50
阅读：13
FDC610PZ 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 PDPAK-8 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效能电源转换应用。其出色的性能使得 FDC610PZ 成为工业、汽车以及消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：75nC
总电容（输入电容）：1960pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：PDPAK-8
FDC610PZ 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗，从而提升整体效率。
该器件的高雪崩能力使其能够在恶劣环境下稳定运行，并且可以承受较大的瞬态电流冲击。
由于采用了先进的制程技术，FDC610PZ 的开关速度非常快，能够显著降低开关损耗。
FDC610PZ 的 PDPAK-8 封装设计提供了良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
其耐高温的工作温度范围（最高可达 175°C）进一步拓宽了产品的适用领域，包括汽车电子等对可靠性要求较高的环境。
FDC610PZ 广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、负载点转换（POL）、开关电源（SMPS）以及电池管理等领域。
在汽车电子中，该器件常用于电动助力转向系统、燃油泵控制及车身控制模块等。
此外，它也非常适合于消费类电子产品中的充电器和适配器，提供高效的电力传输解决方案。
FDP5540, IRF7739
