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FDC606P 发布时间 时间:2025/7/3 23:27:55 查看 阅读:9

FDC606P是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和快速响应的电子电路。
  该型号属于Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)推出的MOSFET系列,主要面向消费电子、工业控制和通信设备等应用领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:7nC(典型值)
  总功耗:55W
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

FDC606P具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。
  2. 高速开关性能,支持高频操作,非常适合于开关电源和DC-DC转换器。
  3. 优异的热稳定性,能够在较高的温度范围内可靠运行。
  4. 小型化封装设计,便于在空间受限的应用中使用。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  这些特点使得FDC606P成为众多高性能功率管理解决方案的理想选择。

应用

FDC606P适用于以下典型应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. DC-DC转换器和降压/升压调节器。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  4. 电机驱动和负载开关,例如家用电器和工业自动化设备。
  5. LED照明驱动电路,用于提升能源利用效率。
  FDC606P凭借其高效的性能和可靠性,成为这些领域的优选方案。

替代型号

FDP5500
  IRLZ44N
  AO3400

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FDC606P参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1699pF @ 6V
  • 功率 - 最大800mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商设备封装6-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDC606P-NDFDC606PTR