时间：2025/4/29 11:33:42
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FDC3535是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263封装形式。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
其设计目标是提供高效的功率转换解决方案，同时保持良好的热稳定性和可靠性。FDC3535支持较高的工作电压，并且具备快速开关特性，能够显著减少开关损耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
栅极电荷（典型值）：75nC
总功耗：165W
工作结温范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-263
FDC3535具有非常低的导通电阻，这使其在大电流应用场景中表现出色。同时，它具备较低的栅极电荷，从而有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
此外，该器件的热阻性能优越，能够有效提高系统的散热效率。其封装形式TO-263为表面贴装类型，便于自动化生产和安装，同时提供了更好的机械稳定性和电气连接性。
FDC3535还具有出色的雪崩能力和短路耐受能力，能够在极端条件下提供额外的保护。
FDC3535广泛应用于各种需要高效功率转换的领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电机驱动和控制
- DC-DC转换器
- UPS不间断电源
- 工业控制系统中的功率调节模块
由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于高功率密度的设计场景。
IRF3710
STP19NF06
IXYS IXFK19N40T2
