时间：2025/12/29 15:15:17
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FDBL86062_F085 是一款由 Fairchild Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、低电压、双路N沟道功率MOSFET集成电路，适用于高效率电源管理应用。该器件集成了两个MOSFET，通常用于同步整流、负载开关、DC-DC转换器、电池管理系统以及高性能电源模块等场合。FDBL86062_F085采用先进的PowerTrench?技术，能够在低导通电阻和高开关速度之间实现良好平衡，从而提高整体效率并减少热损耗。
类型：双N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25°C：8.5A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：85mΩ（最大）
导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：120mΩ（最大）
封装形式：TDFN-8
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
FDBL86062_F085 具备多项优异的电气和热性能，适用于高性能电源设计。其核心特性包括：
1. **低导通电阻**：在VGS=4.5V时，RDS(on)最大为85mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
2. **支持低电压驱动**：在VGS=2.5V时，RDS(on)仍可保持在120mΩ以内，适用于低电压控制电路，如移动设备和电池供电系统。
3. **双N沟道MOSFET集成**：在一个封装内集成两个MOSFET，节省PCB空间，简化设计复杂度。
4. **高电流能力**：在25°C下，连续漏极电流可达8.5A，满足高功率密度应用的需求。
5. **先进的封装技术**：采用TDFN-8封装，具有良好的散热性能和可靠性，适用于表面贴装工艺。
6. **宽工作温度范围**：支持-55°C至+150°C的工作温度范围，适用于工业级和汽车级应用环境。
7. **高耐用性和稳定性**：具备良好的热稳定性和抗静电能力，确保在恶劣环境下的稳定运行。
FDBL86062_F085 主要应用于需要高效能、小尺寸和低功耗的电子系统中。典型应用包括：
? 同步整流电路中的上下桥臂开关，提高DC-DC转换器效率。
? 电池管理系统（BMS）中的负载开关和保护电路。
? 移动设备、平板电脑、笔记本电脑的电源管理单元。
? 服务器、网络设备和通信基站中的电源模块设计。
? 电动工具、无人机和其他电池供电设备的功率控制电路。
? 热插拔电源控制和负载切换应用。
该器件特别适合那些对空间和效率要求较高的应用场合。
FDMS86180, FDMF86181, SiR142DP-T1-GE3
