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FDBL0065N40 发布时间 时间:2025/4/30 14:12:13 查看 阅读:5

FDBL0065N40是一款由Fairchild(现为ON Semiconductor)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合。
  其额定电压为40V,能够满足多种工业和消费类电子产品的设计需求。此外,它还具有出色的热性能和耐用性,能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:6.5A
  导通电阻:3.9mΩ
  栅极电荷:21nC
  输入电容:800pF
  总电容:2700pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

FDBL0065N40具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 良好的热性能,确保在高温环境下的可靠性。
  4. 小型封装(通常为TO-252或DPAK),节省PCB空间。
  5. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗干扰能力。
  6. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品设计。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于各种领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器,包括降压和升压拓扑。
  3. 电池管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
  6. 消费类电子产品中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP5500
  AO3402

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FDBL0065N40参数

  • 现有数量1,261现货
  • 价格1 : ¥55.33000剪切带(CT)2,000 : ¥27.77060卷带(TR)
  • 系列PowerTrench?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)300A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)0.65 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)296 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)15900 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)429W(Tj)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-HPSOF
  • 封装/外壳8-PowerSFN