时间：2025/12/29 14:49:32
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FDB8447 是一款由 Fairchild（安森美半导体）推出的高性能双N沟道功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等领域。该器件采用先进的平面沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，能够在高频率和高效率条件下稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：12A（@VGS=10V）
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ（@VGS=10V）
功率耗散（PD）：3.2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SO-8（PowerTrench）
工艺技术：PowerTrench? 沟槽技术
FDB8447 采用安森美先进的 PowerTrench? 技术，具有极低的导通电阻，从而显著降低功率损耗，提高系统效率。其双N沟道结构设计非常适合用于同步整流、DC-DC降压转换器中的高低侧开关。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至20V），兼容多种驱动电路，包括低电压控制器。此外，FDB8447 具有良好的热稳定性和高雪崩能量耐受能力，适合在高应力工作条件下运行。其SO-8 PowerTrench封装不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适用于高密度电源设计。
在性能方面，FDB8447 在10V栅极电压下的导通电阻仅为17mΩ，使得在高电流应用中能够保持较低的传导损耗。该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，其内置的体二极管具有较低的反向恢复时间，适用于高频开关应用。FDB8447 还具有良好的抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持稳定运行。
FDB8447 常用于各种高效率电源管理系统，包括笔记本电脑、服务器、通信设备中的DC-DC转换器。它也适用于电池管理系统、负载开关、马达驱动电路以及同步整流器等应用。此外，由于其高性能和小型封装，FDB8447 也广泛用于汽车电子系统、工业控制设备和便携式电子设备中，作为高效能功率开关使用。
FDMS86202, FDS6680, SiSS14DN, AO4406
