时间：2025/8/24 21:48:21
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FDB6688 是 Fairchild（现为 onsemi）生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流处理能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器以及电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：160A（@25°C）
导通电阻 Rds(on)：@4.5V Vgs：≤ 1.7mΩ；@10V Vgs：≤ 1.2mΩ
功率耗散（Pd）：250W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：PowerTrench? MLP8（5x6mm）
FDB6688 MOSFET 采用先进的 PowerTrench? 技术制造，具有极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。其高电流承载能力使得该器件能够在高功率密度的设计中使用，如服务器电源、VRM（电压调节模块）和同步整流电路。
该器件的封装设计优化了热性能，有助于热量的有效散发，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。此外，FDB6688 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，适用于多种驱动电路拓扑。
在动态性能方面，FDB6688 具有快速开关特性，降低了开关损耗，并提高了整体系统的响应速度。其输入电容（Ciss）和反向恢复电荷（Qrr）参数均经过优化，适用于高频开关应用。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。
FDB6688 主要用于高性能电源系统中，如服务器电源、通信设备电源、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和马达控制模块等。其优异的热性能和低导通电阻也使其适用于高效率的电池供电系统和功率分配系统。
FDMS86180、SiR142DP、FDBL86063S、FDS4410
