类型：LDMOS 射频功率晶体管
　　工作频率：最高可达 500 MHz
　　输出功率：175 W（典型值）
　　漏极电压（VDS）：65 V
　　栅极电压（VGS）：-30 V 至 +20 V
　　增益：约 22 dB（典型值）
　　效率：约 70%（典型值）
　　封装类型：气密封陶瓷封装
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

P174LCX 具备多项优异的电气和物理特性，确保其在各种高功率射频应用中稳定运行。首先，其 LDMOS 技术提供了高线性度和高效率，使其非常适合用于要求严格的通信系统和广播设备。其次，该晶体管在 500 MHz 频率范围内仍能保持良好的性能，适合用于 UHF 和 VHF 波段的放大器设计。
　　此外，P174LCX 的高输出功率能力（175 W）使其能够驱动大功率负载，适用于工业和广播级设备。其高增益特性（约 22 dB）减少了前级放大器的设计复杂度，提高了系统的整体集成度。同时，高效率（约 70%）不仅降低了功耗，还减少了散热需求，提高了设备的可靠性。
　　该器件采用气密封陶瓷封装，具有优异的热管理和机械稳定性，能够在恶劣环境中长期运行。其宽广的工作温度范围（-65°C 至 +150°C）确保了在极端温度条件下的稳定性能。此外，P174LCX 的栅极电压范围较宽（-30 V 至 +20 V），允许灵活的偏置设置，从而优化不同工作模式下的性能。

P174LCX 广泛应用于多个领域，尤其是在需要高功率、高频率和高稳定性的射频系统中。主要应用包括：广播发射机（如 FM 和 TV 发射机）、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备、无线基础设施（如蜂窝基站）、测试与测量设备（如信号发生器和频谱分析仪）以及军用和航空航天通信系统。
　　在广播领域，P174LCX 通常作为末级功率放大器使用，提供高线性度和高输出功率，以确保信号传输的清晰度和覆盖范围。在工业加热应用中，其高效率和高功率输出能力使其成为射频能量源的理想选择。在通信基础设施中，该器件用于构建高增益、低失真的功率放大器模块，以支持现代无线通信标准。
　　此外，P174LCX 也常用于研发和测试环境中的射频功率放大器原型设计，帮助工程师验证高频电路的性能。其坚固的陶瓷封装和宽工作温度范围也使其适用于恶劣环境下的军用和航空航天应用。

P175HF（Microchip），BLF174（NXP），MRF174（NXP）