时间：2025/8/25 5:34:32
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FDB5686是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和出色的热性能，适用于高效率、高密度的电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：4.7mΩ（最大值，Vgs=10V）
功耗（Pd）：140W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PowerTrench? MLPF（Power 56）
FDB5686 MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为30V，适用于多种低压高电流的应用场景，例如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制以及电池管理系统等。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至20V），可在不同的驱动条件下保持稳定的性能。FDB5686还具备良好的热稳定性和高耐久性，能够在高温环境下可靠工作，适合在汽车电子和工业控制等严苛环境中使用。
封装方面，FDB5686采用PowerTrench? MLPF（Power 56）封装，这种封装形式具有优良的热管理和电流承载能力，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性与可靠性。
FDB5686主要用于需要高效率和高功率密度的电源系统，例如服务器电源、通信设备电源、电动汽车电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、负载开关、同步整流器以及电机驱动系统等。此外，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）以及车身控制模块等。其优异的导通特性和热性能使其在高电流、高频开关应用中表现出色。
FDMS86101, FDBL0150, FDBL0150A, SiR178DP
