时间：2025/4/30 9:03:22
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FDB52N20TM 是一款 N 沣道通（Fairchild，现为 ON Semiconductor）生产的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于 FDB 系列，采用 TO-220 封装形式，适用于高电压、中等功率的应用场景。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度以及高可靠性。
该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效率和高可靠性的电子设备中。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：10A
导通电阻：0.3Ω
栅极电荷：6nC
总功耗：75W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：TO-220
FDB52N20TM 的主要特性包括：
1. 高电压承受能力：能够承受高达 200V 的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 快速开关性能：具有较低的栅极电荷，可实现快速开关，从而降低开关损耗。
3. 低导通电阻：在高电流下表现出较低的导通电阻，减少功率损耗。
4. 高可靠性：经过严格的质量控制，确保长期稳定运行。
5. 热稳定性强：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境。
6. 保护功能齐全：内置多种保护机制，提高整体系统的安全性。
FDB52N20TM 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主功率开关元件，用于高效转换和稳定输出。
2. 电机驱动：用于控制电机的速度和方向，特别是在工业自动化和家用电器中。
3. 逆变器：用于将直流电转换为交流电，在太阳能发电系统和不间断电源（UPS）中发挥重要作用。
4. LED 驱动器：用于调节 LED 灯具的亮度和色彩。
5. 电池充电器：用于高效充电和保护电池过充。
6. 工业控制：如 PLC 和伺服驱动器中的功率开关部分。
FDP52N20,
FDD88P20,
IRF540N
