MLK1005S8N2DT 时间：2025/12/5 18:29:25 阅读：23

MLK1005S8N2DT是一款由三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层片式陶瓷电感器（Multilayer Kilohm-range Inductor），属于其小型化高频电感产品线。该器件采用先进的多层陶瓷工艺制造，专为现代高性能、高密度的便携式电子设备中的射频（RF）和电源管理电路设计。MLK1005S8N2DT以其超小尺寸、高Q值、低直流电阻（DCR）以及良好的温度稳定性而著称，适用于需要在有限空间内实现高效能滤波、阻抗匹配和噪声抑制的应用场景。该电感器广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、无线通信模块以及其他对体积和性能有严格要求的消费类电子产品中。其封装尺寸为1005（公制：1.0mm x 0.5mm），符合行业标准的微型化趋势，并支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。此外，该型号具有良好的高频响应特性，能够在GHz频段下稳定工作，是射频前端模块、Wi-Fi、蓝牙、GPS等无线连接系统中不可或缺的关键元件之一。

参数

产品类型：多层片式陶瓷电感
　　电感值：0.82nH
　　允许偏差：±0.3nH
　　额定电流：50mA
　　直流电阻(DCR)：典型值约0.38Ω
　　自谐振频率(SRF)：典型值大于6GHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1005（1.0mm x 0.5mm）
　　安装方式：表面贴装(SMD)
　　端电极结构：镍阻挡层+锡镀层
　　包装形式：卷带编带，每盘3000只

特性

MLK1005S8N2DT电感器的核心优势在于其采用的多层陶瓷共烧技术（LTCC-like process），这种工艺使得在极小的物理尺寸下仍能保持较高的电感精度与稳定的电气性能。该器件的电感值为0.82nH，允许偏差控制在±0.3nH以内，表现出优异的容差一致性，适合用于对参数敏感的高频匹配网络中。其低直流电阻（DCR典型值为0.38Ω）有效降低了通流时的功率损耗，提高了系统的整体效率，尤其适用于电池供电的移动设备。
　　该电感器具备高达6GHz以上的自谐振频率（SRF），确保在常见的无线通信频段（如2.4GHz Wi-Fi、蓝牙、Zigbee及部分5G sub-6GHz频段）内呈现纯感性阻抗，避免因寄生电容引起的性能下降问题。同时，其Q值在1GHz频率下可达35以上，表明其具有较低的能量损耗和出色的频率选择性，有助于提升射频链路的信号质量与接收灵敏度。
　　MLK1005S8N2DT的工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，满足工业级应用需求，并通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿存储、温度循环、耐焊接热等项目，保证在复杂环境下的长期稳定性。其端电极为镍/锡结构，具备良好的可焊性和抗氧化能力，兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准。
　　由于其微型化设计（仅1.0×0.5mm），该电感非常适合布设于高密度PCB布局中，尤其在射频前端模组（FEM）、天线调谐电路、低噪声放大器（LNA）输入匹配网络、功率放大器输出匹配网络以及EMI滤波器中发挥关键作用。相比传统绕线式电感，MLK1005S8N2DT在高频响应和平面集成方面更具优势，且不易受机械振动影响，提升了终端产品的可靠性和良率。

应用

MLK1005S8N2DT主要用于各类高频模拟与射频电路中，尤其是在移动通信设备的无线信号处理路径上扮演重要角色。典型应用场景包括智能手机中的射频前端模块（RF FEM），用于实现功率放大器（PA）与天线之间的阻抗匹配，优化发射效率并减少反射损耗。在Wi-Fi和蓝牙共存系统中，该电感可用于构建LC滤波网络，抑制带外干扰，提高接收机的选择性和抗干扰能力。
　　此外，它也常被用作GPS、NFC或UWB（超宽带）定位系统的匹配元件，确保微弱信号的有效传输与接收。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中，由于空间极度受限，MLK1005S8N2DT的小型化特性使其成为首选电感型号，用于电源去耦、DC-DC转换器的高频储能以及音频线路的噪声过滤。
　　在物联网（IoT）传感器节点和无线模块中，该器件可用于构建π型或T型滤波器，以降低开关电源引入的传导噪声，保障射频收发器的正常运行。同时，在高速数字接口（如MIPI）附近也可作为局部去耦使用，抑制高频瞬态电流引起的电压波动。其高SRF和低损耗特性还使其适用于毫米波雷达前端、5G移动终端等新兴领域，助力实现更高带宽和更低延迟的通信体验。