类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：4.4A（在25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.0Ω（最大值）
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

FDB4N80具有多个优异的电气特性，首先是其高耐压能力，漏源电压可达800V，这使得该MOSFET适用于高压电源和开关电源应用。此外，该器件具备较低的导通电阻（Rds(on)）最大为2.0Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，从而提高了驱动电路的设计灵活性。FDB4N80的封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，能够在较高功率条件下稳定运行。该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲环境下的可靠性。
　　此外，FDB4N80的开关速度快，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。其内部结构优化了寄生电容，从而减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　综合来看，FDB4N80是一款适用于多种功率电子设备的高性能MOSFET，能够在高压、高频和高效率应用中提供稳定可靠的性能表现。

FDB4N80广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源管理模块中表现出色。由于其高耐压和低导通电阻特性，非常适合用于反激式和正激式转换器拓扑结构。
　　此外，该器件也适用于电机驱动和继电器驱动电路，能够在高电压环境下实现快速、高效的开关控制。FDB4N80还常用于照明控制系统，例如电子镇流器和LED驱动电源。
　　工业自动化设备、UPS（不间断电源）、电池管理系统以及各种功率调节装置也是FDB4N80的典型应用领域。其良好的热稳定性和抗干扰能力，使其在恶劣工业环境中也能保持稳定运行。

FQA4N80C、FDPF4N80、STF4NM80、IRF840、FDB14N80