TPT4031-SO3R 是一款高性能的 N 沃特(N-Channel)功率 MOSFET,采用 SO-3 封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。它广泛用于电源管理、电机驱动以及负载切换等领域。
其出色的性能主要体现在高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度上,能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。
型号:TPT4031-SO3R
类型:N-Channel MOSFET
封装:SO-3
漏源极击穿电压:60V
连续漏极电流:25A
导通电阻(典型值):8mΩ
栅极电荷:18nC
最大功耗:75W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
TPT4031-SO3R 具有以下显著特点:
1. 高效率:得益于其低导通电阻特性,该器件在大电流应用中能有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力:具有较低的栅极电荷,使得开关速度更快,从而减少了开关损耗。
3. 稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持良好的电气性能。
4. 高可靠性:经过严格的质量控制和测试,确保在各种复杂环境下长期稳定运行。
5. 小型化设计:SO-3 封装使其具备较小的体积,方便应用于空间受限的设计方案。
此外,该器件还支持多种保护功能,如过温保护等,增强了系统的安全性和耐用性。
TPT4031-SO3R 的典型应用场景包括:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
2. 电池管理系统(BMS),用于控制电池充放电过程。
3. 工业设备中的电机驱动和控制电路。
4. 负载开关和保护电路,用于实现高效的负载管理。
5. 各种便携式电子设备中的电源管理模块。
由于其高性能和稳定性,该器件特别适合于需要高效率和高可靠性的场合,例如汽车电子、通信设备以及家用电器等领域。
TPT4032-SO3R, IRFZ44N, FDP5500