时间：2025/9/13 23:11:50
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FDB45AN15 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于高功率、高频率的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及电池管理系统等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds：150V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大连续漏极电流 Id：45A
导通电阻 Rds(on)：典型值 22mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Tamb=25°C）：150W
封装形式：TO-263（D2PAK）
FDB45AN15 的核心优势在于其出色的导电性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
此外，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了开关速度和温度稳定性，适用于高频开关应用。
该 MOSFET 具有较强的抗雪崩击穿能力，可在高应力条件下保持稳定工作。其 TO-263 封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于表面贴装（SMT）工艺，提高了生产效率。
在温度特性方面，FDB45AN15 具有良好的热阻性能，结温（Tj）可高达 175°C，适用于高温环境下的工业级应用。
该器件还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低驱动损耗，提高开关速度，适用于高效能的电源转换系统。
FDB45AN15 广泛用于各种功率电子设备中，尤其是在需要高效率和大电流处理能力的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制模块、电池管理系统（BMS）以及不间断电源（UPS）系统。
此外，该器件也适用于太阳能逆变器、电动工具、电动汽车充电模块等高功率密度系统中。
由于其优异的导通和开关性能，FDB45AN15 常用于同步整流拓扑结构中，以提高电源转换效率并减少发热。
在工业自动化和伺服电机控制系统中，它也常作为功率开关使用，提供可靠的高电流切换能力。
在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备，该 MOSFET 可用于电源管理电路，以实现高效的能源利用。
FDB45AN15 的替代型号包括：FDH45AN15，FDB45N150，FDB45N150F，SiHH45N150-T1-E3
