BUK7K17-80EX是一款由Nexperia(原飞利浦半导体部门)制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和高电流开关应用而设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和工业自动化等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):17A
最大漏源电压(VDS):80V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大80mΩ(在VGS=10V时)
功率耗散(PD):60W
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-220AB
BUK7K17-80EX具有低导通电阻和高电流处理能力,使其在高功率密度设计中表现出色。其低RDS(on)特性可显著降低导通损耗,提高系统效率。
该器件采用先进的TrenchMOS技术,提供卓越的开关性能和热稳定性。此外,其坚固的封装设计确保了在高温和高负载条件下的可靠运行。
BUK7K17-80EX还具有出色的雪崩能量耐受能力,适用于需要高可靠性和稳定性的应用场合,如汽车电子和工业电源系统。
主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池充电器以及各类高功率电源设备中。其低导通电阻和高效率特性使其成为电源管理和功率控制的理想选择。
在汽车电子领域,BUK7K17-80EX可用于车载电源系统、LED照明驱动和电动助力转向系统等应用。
在工业自动化中,该MOSFET适用于PLC模块、伺服电机控制器和工业电源模块。
BUK7K17-80E, BUK7K25-80E, IRFZ44N, FDPF8N80