时间：2025/5/15 14:37:34
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FDB15N50是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效能和高电压处理能力的场景中。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻特性，能够满足各种工业及消费类电子设备的需求。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：15A
栅源开启电压：4V
导通电阻：0.6Ω
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
FDB15N50具有以下显著特性：
1. 高耐压：支持高达500V的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 较低的导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为0.6Ω，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关速度：其设计优化了开关性能，从而提高了效率并减少了电磁干扰（EMI）。
4. 稳定性强：能够在恶劣环境下保持稳定的电气性能，适用于工业级应用。
5. 高可靠性：通过严格的制造工艺和质量控制流程，确保长期使用中的稳定性和耐用性。
FDB15N50主要应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等需要高压转换效率的应用。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机（BLDC）、步进电机等的运行状态。
3. 逆变器：太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统等需要高效能量转换的场合。
4. 电力电子设备：如电焊机、LED驱动器等对功率管理有较高要求的设备。
5. 工业自动化：包括伺服控制器、机器人驱动等需要精确控制电流和电压的系统。
IRF840, STP15NF50, FQP17N50
