时间：2025/8/25 6:43:34
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FDB035AN06_F085 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）设计制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供卓越的导通电阻（Rds(on)）性能和开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：60V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：17A（@25℃）
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（@Vgs=10V）
功耗(Pd)：2.5W
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装类型：PowerTrench?
安装类型：表面贴装（SMD）
FDB035AN06_F085 采用先进的 PowerTrench? 沟槽工艺技术，显著降低了导通损耗并提升了高频应用中的性能。其导通电阻低至 3.5mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持 10V 标准逻辑电平控制，适用于多种驱动电路。
此外，FDB035AN06_F085 在热管理和封装设计上进行了优化，能够在高电流负载下保持稳定工作，具备良好的热稳定性与耐用性。其表面贴装封装形式（SMD）便于自动化装配，适用于高密度 PCB 布局设计，满足现代电子产品对小型化和轻量化的需求。
该 MOSFET 具备卓越的开关性能，开关损耗低，适合用于高频开关电源和同步整流电路。同时，其过温保护和短路耐受能力较强，提高了系统的可靠性和安全性。
FDB035AN06_F085 广泛应用于各类电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器和通信设备的电源模块、马达驱动电路以及汽车电子中的功率控制单元。
在服务器电源、VRM（电压调节模块）和POL（负载点）电源设计中，FDB035AN06_F085 可作为主功率开关或同步整流器使用，提升整体转换效率。其低导通电阻和高频响应特性使其成为高性能电源应用的理想选择。
FDB035AN06_F085 的替代型号包括 FDS6680、IRF6604、SiS622DN、FDMS86181 和 NexFET? CSD17325QPA。这些器件在性能参数和封装形式上相近，适用于替换应用。
