FDB035AN06_F085 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)设计制造的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供卓越的导通电阻(Rds(on))性能和开关特性,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等场景。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):17A(@25℃)
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(@Vgs=10V)
功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
封装类型:PowerTrench?
安装类型:表面贴装(SMD)
FDB035AN06_F085 采用先进的 PowerTrench? 沟槽工艺技术,显著降低了导通损耗并提升了高频应用中的性能。其导通电阻低至 3.5mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围宽广,支持 10V 标准逻辑电平控制,适用于多种驱动电路。
此外,FDB035AN06_F085 在热管理和封装设计上进行了优化,能够在高电流负载下保持稳定工作,具备良好的热稳定性与耐用性。其表面贴装封装形式(SMD)便于自动化装配,适用于高密度 PCB 布局设计,满足现代电子产品对小型化和轻量化的需求。
该 MOSFET 具备卓越的开关性能,开关损耗低,适合用于高频开关电源和同步整流电路。同时,其过温保护和短路耐受能力较强,提高了系统的可靠性和安全性。
FDB035AN06_F085 广泛应用于各类电源管理系统中,包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统(BMS)、服务器和通信设备的电源模块、马达驱动电路以及汽车电子中的功率控制单元。
在服务器电源、VRM(电压调节模块)和POL(负载点)电源设计中,FDB035AN06_F085 可作为主功率开关或同步整流器使用,提升整体转换效率。其低导通电阻和高频响应特性使其成为高性能电源应用的理想选择。
FDB035AN06_F085 的替代型号包括 FDS6680、IRF6604、SiS622DN、FDMS86181 和 NexFET? CSD17325QPA。这些器件在性能参数和封装形式上相近,适用于替换应用。