时间：2025/8/24 23:24:16
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FDB035AN06A是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高频率开关应用和功率转换系统。该器件采用先进的硅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动等高性能电子系统。FDB035AN06A封装在高性能的表面贴装（SMD）封装中，便于自动化装配并提供良好的热管理。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：最大3.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：Dual Cool? Power Package (表面贴装)
功率耗散（Pd）：200W
输入电容（Ciss）：约5000pF @ Vds=25V
开启阈值电压（Vgs(th)）：2.0V 至 4.0V
FDB035AN06A MOSFET具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件设计支持高频率操作，适用于要求快速开关的应用。FDB035AN06A采用了先进的封装技术，具有良好的热管理能力，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET具备高雪崩耐受能力和抗短路性能，使其在严苛的工作环境下也能保持稳定运行。其栅极驱动设计优化，减少了开关损耗并提高了抗干扰能力，适用于各种高频电源转换器和工业控制系统。FDB035AN06A还具有出色的耐久性和长使用寿命，适用于需要高可靠性的应用场景。
FDB035AN06A广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：高效率DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、车载充电系统、工业自动化设备以及电源模块等。由于其高性能和可靠性，该器件也适用于需要高功率密度和高效率的现代电源管理系统。
FDB045AN06A, FDBL035AN06A, FDB030AN06A, FDB035AN08A
