容量：256MB
　　电压：1.5V
　　封装类型：BGA
　　引脚数量：54pin
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　时钟频率：最高支持800MHz
　　数据速率：1600Mbps
　　内存类型：DDR3 SDRAM
　　组织结构：x16
　　工艺技术：先进CMOS技术

H5TC2G63DFR-H9A 具备多项优异特性，首先是其低电压工作能力，额定电压为1.5V，相较于传统的DDR2内存，功耗更低，有助于提升设备的能源效率。其次是其宽广的工作温度范围，从-40°C到+85°C，使其能够在各种严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业级应用场景。
　　此外，该芯片采用先进的CMOS制造工艺，具有较高的集成度和稳定性，能够有效降低功耗并提升数据传输的可靠性。其1600Mbps的数据速率支持高速数据访问，满足对内存性能有较高要求的应用场景。该芯片还支持自刷新（Self-Refresh）和温度补偿自刷新（Temperature-Compensated Self-Refresh, TCSR）等低功耗模式，有助于延长设备的电池寿命，特别适用于便携式电子产品。
　　在封装方面，H5TC2G63DFR-H9A 使用小型BGA（Ball Grid Array）封装形式，体积小巧，便于PCB布局，并具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于高密度电路板设计。

H5TC2G63DFR-H9A 主要应用于需要中等容量内存支持的嵌入式系统和工业控制设备，如工业自动化控制器、智能电表、医疗监测设备、通信模块、车载导航系统等。其低功耗特性和宽温工作范围也使其适用于户外设备、物联网（IoT）终端以及便携式电子产品，如智能穿戴设备和手持测试仪器。由于其稳定性和兼容性良好，该芯片也常用于工业计算机、人机界面（HMI）设备以及嵌入式视觉系统中。

H5TC2G63DFR-PBA, H5PS1G63EFR-H9C, MT48LC16M16A2B4-6A