时间：2025/8/24 8:04:01
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FDA70N10是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源转换系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制以及负载开关等场合。该MOSFET具有高电流承载能力、低导通电阻和优良的热性能，适用于高效率和高功率密度的设计需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：70A
导通电阻（RDS(on)）：最大8.5mΩ（典型值7.5mΩ）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
FDA70N10采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了系统效率。其高电流能力使其适用于高功率应用，如汽车电子系统、工业电源和电动工具。该器件的栅极设计增强了抗过压能力，确保在高噪声环境中仍能稳定工作。此外，TO-263封装提供了良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持较低的结温，提升器件的可靠性和寿命。由于其增强型特性，该MOSFET在导通状态下的电压降非常低，从而减少了能量损耗并降低了散热需求。
该器件常用于高性能电源系统，如服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及汽车电子中的功率控制模块。其高效率和高可靠性使其成为工业自动化设备、电动车辆和储能系统中的理想选择。
IRF1405, Si7452DP, IPB075N10N, FDP70N10
