时间：2025/4/27 18:47:03
阅读：3
FDA16N50-F109是一种高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他高电压场景中。该器件属于N沟道增强型MOSFET，采用TO-247封装形式，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效提升电路的效率和可靠性。
这种型号是Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的产品，其设计旨在满足工业和汽车应用中的高耐压需求。
最大漏源极电压：500V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总电容：220pF
功耗：180W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FDA16N50-F109的主要特性包括：
1. 高击穿电压：高达500V，适用于各种高电压应用场景。
2. 低导通电阻：在同类产品中表现出较低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：得益于较小的栅极电荷和总电容，该器件能够在高频开关条件下保持高效运行。
4. 热稳定性：具备良好的热性能，能够在高温环境下长期稳定工作。
5. 可靠性高：通过了严格的测试标准，确保在恶劣环境下的可靠性和耐用性。
6. 封装坚固：TO-247封装提供出色的散热能力和机械强度。
FDA16N50-F109适用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等。
2. 电机驱动：控制直流电机或步进电机的速度与方向。
3. 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型的电力转换设备。
4. 工业自动化：包括PLC控制器、传感器接口等。
5. 汽车电子：如启动马达、发电机控制单元等。
6. 高压负载切换：实现对高电压负载的精确控制。
IRFP260N
FDP18N50
STP16NF50
