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FCPF4300N80Z 发布时间 时间:2025/7/2 16:19:42 查看 阅读:7

FCPF4300N80Z是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  该芯片适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等多种应用场景,其卓越的电气性能使其成为高效率功率转换的理想选择。

参数

型号:FCPF4300N80Z
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):80V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):43A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):250W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
  封装形式:DPAK(TO-263)

特性

FCPF4300N80Z具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导电损耗,从而提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合现代高效能应用需求。
  3. 高电流承载能力,确保在大负载条件下稳定运行。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用。
  5. 具备优秀的热稳定性,长时间运行也不会出现性能衰减。
  6. 小巧的封装尺寸便于PCB布局和设计,同时保持良好的散热性能。

应用

这款MOSFET功率晶体管主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的功率转换电路。
  2. 各类电机驱动器中作为开关元件控制电机转速与方向。
  3. DC-DC转换器中的同步整流功能以提升效率。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的电力调节模块。
  5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)与牵引逆变器部分。

替代型号

FCPF4002N80Z, IRF840, STP40NF10

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FCPF4300N80Z参数

  • 现有数量993现货6,000Factory
  • 价格1 : ¥19.72000管件
  • 系列SuperFET? II
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.3 欧姆 @ 800mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 160μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.8 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)355 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)19.2W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220F-3
  • 封装/外壳TO-220-3 整包