FCPF4300N80Z是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用N沟道增强型技术。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
该芯片适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及逆变器等多种应用场景,其卓越的电气性能使其成为高效率功率转换的理想选择。
型号:FCPF4300N80Z
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):43A
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):250W
工作温度范围(Ta):-55°C至+175°C
封装形式:DPAK(TO-263)
FCPF4300N80Z具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导电损耗,从而提高整体效率。
2. 快速的开关速度,支持高频操作,适合现代高效能应用需求。
3. 高电流承载能力,确保在大负载条件下稳定运行。
4. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用。
5. 具备优秀的热稳定性,长时间运行也不会出现性能衰减。
6. 小巧的封装尺寸便于PCB布局和设计,同时保持良好的散热性能。
这款MOSFET功率晶体管主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)中的功率转换电路。
2. 各类电机驱动器中作为开关元件控制电机转速与方向。
3. DC-DC转换器中的同步整流功能以提升效率。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的电力调节模块。
5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV)的电池管理系统(BMS)与牵引逆变器部分。
FCPF4002N80Z, IRF840, STP40NF10