FCPF380N65F 时间：2025/12/29 14:30:56 阅读：11

FCPF380N65F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制等领域。该器件采用先进的 SuperFET? 技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率和高频操作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：650V
　　最大漏极电流 Id：38A
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 70mΩ
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

FCPF380N65F 采用先进的 SuperFET? 技术，具有优异的导通和开关性能。其导通电阻仅为 70mΩ，有效降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 的最大漏源电压为 650V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高压应用场合。
　　该器件的栅源电压范围为 ±20V，具备较强的抗过压能力，确保了在复杂电路环境中的稳定性。其最大漏极电流为 38A，能够在高电流负载下保持稳定运行。TO-220FP 封装形式具有良好的热管理和机械强度，适用于需要高功率密度的设计。
　　FCPF380N65F 还具备较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如电源适配器、PFC（功率因数校正）电路、太阳能逆变器等。同时，其内部结构优化设计减少了反向恢复损耗，提高了系统的整体效率和可靠性。

应用

FCPF380N65F 主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动电路、PFC（功率因数校正）模块、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等领域。由于其优异的导通和开关性能，该 MOSFET 特别适合需要高效率和高频操作的应用场景。
　　在电源管理领域，FCPF380N65F 可用于构建高效率的同步整流电路，降低能量损耗，提高电源转换效率。在电机控制方面，该器件能够提供稳定的高电流输出，适用于各种直流电机和步进电机的驱动电路。此外，在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和储能系统，FCPF380N65F 也能够发挥出色的性能，支持高效的能量转换和管理。