时间：2025/8/25 4:53:48
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FCPF250N65S3是一种高性能的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件专为高电压、高电流应用而设计，具有出色的导通特性和热稳定性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等场景。FCPF250N65S3采用先进的PowerTrench?技术，以实现更低的导通电阻（RDS(on)）和更高的效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：650V
连续漏极电流（ID）@25°C：250A
漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：最大值1.8mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
工作温度范围：-55°C~175°C
封装形式：TO-264
功率耗散（PD）：350W
FCPF250N65S3采用了先进的PowerTrench?技术，使得其在高电压下仍能保持较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流容量使其适用于高功率密度的设计。此外，其坚固的结构设计和优异的热管理能力确保了在高温环境下仍能稳定工作。
在短路和过载条件下，FCPF250N65S3具有较强的承受能力，增强了系统的可靠性。其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。该MOSFET还具备低电容特性，有利于提升开关速度并降低电磁干扰（EMI）。
FCPF250N65S3的封装形式为TO-264，这种封装提供了良好的散热性能，适合高功率应用。其广泛的工作温度范围也使其适用于严苛的工业和汽车电子环境。
FCPF250N65S3适用于多种高功率电子系统，包括工业电源、服务器电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电系统以及各种类型的DC-DC转换器。由于其高耐压、大电流和低导通电阻特性，它在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中表现出色。
FDPF250N65S3、SPW250N65CF3、IXFN250N65X2
