您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FCPF20N60S

FCPF20N60S 发布时间 时间:2025/12/29 13:22:59 查看 阅读:14

FCPF20N60S 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电压和高电流应用。该器件具备低导通电阻、高击穿电压和良好的热稳定性,适用于电源转换、电机控制、开关电源(SMPS)和逆变器等应用场景。FCPF20N60S 采用 TO-220 封装,便于散热和集成。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(VDS):600V
  最大栅源电压(VGS):±30V
  最大连续漏极电流(ID):20A
  导通电阻(RDS(on)):0.23Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

FCPF20N60S 的主要特性之一是其高耐压能力,最大漏源电压可达 600V,使其适用于高压电源系统。此外,该器件具有较低的导通电阻,典型值为 0.23Ω,这有助于降低导通损耗并提高整体效率。在高电流应用中,低 RDS(on) 可减少发热并提升系统稳定性。
  这款 MOSFET 具有良好的热稳定性和过热保护能力,能够在高温环境下稳定工作。其 TO-220 封装设计不仅便于安装,还提供了良好的散热性能,适合高功率密度设计。FCPF20N60S 的栅极驱动电压范围较宽,支持 ±30V,增加了驱动电路设计的灵活性。
  此外,该器件具备快速开关特性,适用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器和开关电源(SMPS)。其较低的输入电容(CISS)和反向恢复电荷(Qrr)也有助于减少开关损耗,提高系统效率。由于其优异的电气和热性能,FCPF20N60S 被广泛用于工业控制、消费类电子产品和电机驱动系统。

应用

FCPF20N60S 主要应用于高电压和高电流系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、电机驱动器、照明镇流器、电池管理系统以及逆变器等。它也适用于工业自动化设备、电源适配器和节能灯具等产品中。由于其良好的导热性能和高可靠性,该器件在电力电子系统中扮演着关键角色,尤其是在需要高效能和高稳定性的应用场景中。

替代型号

STP20N60C3, FQA20N60C, IRFPC50, FCPB20N60S

FCPF20N60S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FCPF20N60S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型-
  • FET 特点*
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)-
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型-
  • 封装/外壳-
  • 供应商设备封装TO-220F
  • 包装-