时间：2025/12/29 14:52:13
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FCPF190N65F是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源（SMPS）等领域。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，具备高效率、低导通电阻和优异的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：38A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.115Ω（最大值）
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Pd）：120W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装形式：TO-247
FCPF190N65F MOSFET采用了先进的超结技术，使其在高电压应用中表现出更低的导通损耗和开关损耗。其Rds(on)最大为0.115Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统整体效率。此外，该器件具备较高的电流承受能力和良好的热管理性能，适用于高功率密度设计。
这款MOSFET的封装形式为TO-247，便于安装和散热，适合高功率应用环境。其栅极驱动电压范围为±20V，确保了稳定的开关性能。此外，FCPF190N65F具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。
该器件还具备较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统效率。这些特性使得FCPF190N65F非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、UPS系统以及工业电机控制等应用。
FCPF190N65F主要应用于各类高功率电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统等。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET在高效率电源转换系统中表现出色，尤其适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。
STF20N65M5, FCPF20N65S3, FCP10N65S3, FCP20N65S3, FCP25N65S3
