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FCP20N60 发布时间 时间:2024/8/22 15:01:53 查看 阅读:185

SuperFET?MOSFET是飞兆半导体的第一代高压超结(SJ)MOSFET系列,它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET非常适合开关电源应用,如PFC、服务器/电信电源、FPDTV电源、ATX电源和工业电源应用。

应用说明

太阳能逆变器
  AC-DC电源

技术参数

针脚数:3
  漏源极电阻:0.15Ω
  耗散功率:208 W
  阈值电压:5V
  输入电容:2370 pF
  漏源极电压(Vds):600 V
  上升时间:140 ns
  输入电容(Ciss):2370pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):208 W
  下降时间:65 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):208000 mW

封装参数

引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.67 mm
  封装:TO-220-3

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Rail,Tube

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FCP20N60参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3080pF @ 25V
  • 功率 - 最大208W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件
  • 其它名称FCP20N60_NLFCP20N60_NL-ND