时间：2025/4/30 19:13:12
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FCP190N60是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其耐压等级为600V，适用于高压环境下的电力电子应用。
最大漏源电压：600V
最大漏极电流：19A
导通电阻（典型值）：1.3Ω
栅极阈值电压：4V
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FCP190N60具备以下显著特性：
1. 高耐压能力：能够承受高达600V的漏源电压，非常适合用于高压系统。
2. 大电流处理：连续漏极电流可达19A，支持高功率应用。
3. 低导通电阻：典型值为1.3Ω，有助于降低导通损耗并提高效率。
4. 快速开关性能：较低的输入电容和输出电容设计确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
5. 宽温范围：能够在-55℃到+150℃的工作温度范围内稳定运行，适应多种恶劣环境。
FCP190N60主要应用于以下领域：
1. 开关电源：包括AC-DC转换器、DC-DC变换器等电力转换设备。
2. 电机驱动：用于工业自动化控制中的电机启动和调速系统。
3. 负载切换：在通信设备和计算机电源中用作负载切换开关。
4. 过流保护：适用于过流保护电路以防止系统损坏。
5. 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力逆变系统中提供高效开关功能。
IRF840, STP19NF60, FQP19N60
