时间：2025/8/24 16:21:51
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FCP16N60N_F102 是由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源转换和电机控制等高功率场合。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC转换器以及节能照明等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
连续漏极电流（Id）@25℃：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装形式：TO-220
FCP16N60N_F102 具有多个关键特性，使其适用于高功率应用环境。
首先，该MOSFET的漏源电压高达600V，能够满足高压应用的需求，同时其导通电阻较低，最大为0.38Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
其次，该器件的连续漏极电流在25℃下可达16A，具备良好的电流承载能力，适合高功率开关应用。
FCP16N60N_F102 主要应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制电路以及节能照明系统。此外，该器件也常用于工业自动化设备和家用电器中的功率控制模块。
FQA16N60C、IRFBC40、FCP16N60
