时间：2025/8/25 2:31:36
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FCH76N60是一款高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电流和高电压的应用，如电源开关、DC-DC转换器和电机控制等。该器件采用TO-247封装，具备良好的散热性能和高可靠性。FCH76N60是一款N沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：76A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
FCH76N60具有多种优良的电气和热性能，适用于高功率密度设计。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统的整体效率，特别适合高电流应用。其次，该MOSFET具有较高的击穿电压能力（600V），能够承受较大的电压应力，适用于高压直流和交流开关应用。
此外，FCH76N60采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和耐用性，确保在高负载条件下仍能保持稳定的性能。其TO-247封装形式有助于有效散热，延长器件寿命。
该器件还具备快速开关能力，能够减少开关损耗，并支持高频操作，这对于开关电源（SMPS）和逆变器设计非常重要。同时，FCH76N60的栅极驱动要求较低，兼容常见的10V至15V驱动电路，简化了驱动电路的设计。
FCH76N60广泛应用于高功率电子设备中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、逆变器、电焊设备和工业自动化控制系统。
在开关电源中，FCH76N60用于高频开关，以提高能效并减小电源体积。在电机控制和逆变器系统中，它用于高效地控制电流流向，实现精确的速度和转矩调节。此外，在电焊设备中，该MOSFET可用于调节输出电流，提供稳定的焊接性能。
由于其高耐压和大电流能力，FCH76N60也适用于光伏逆变器和储能系统中的功率转换模块，确保能量转换过程的稳定性和高效性。
STF76N60DM2, IRLU8726PBF, FGP76N6S2DM
