时间：2025/9/15 0:27:56
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2N7002PS,115是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，由NXP Semiconductors生产。该器件广泛用于各种电子电路中的开关应用。该MOSFET具有高性能、低导通电阻和高可靠性，适用于数字和模拟电路中的控制和功率管理功能。封装形式为TSSOP（Thin-Shrink Small Outline Package），这使得它非常适合在空间受限的电路板上使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：300mA
功耗（Ptot）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（Rds(on)）：约5Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
封装类型：TSSOP
晶体管配置：单MOSFET
2N7002PS,115是一款低电压、低电流MOSFET，具有优异的开关特性和稳定性。其主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下漏极和源极之间的电压降非常小，从而提高了效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于快速开关操作，降低开关损耗。
这款MOSFET具有较高的耐压能力，漏源电压可达60V，适合用于中等电压的开关电路。栅源电压范围为±20V，确保了在各种驱动条件下器件的稳定性。
其TSSOP封装提供了较小的PCB占位面积，并具有良好的热性能，适合用于高密度电子设备中。该封装还提供了优异的机械强度，适合在恶劣环境中使用。
2N7002PS,115的工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，适用于工业级和汽车级应用。这种宽温度范围确保了在极端环境下的稳定性和可靠性。
该MOSFET的功耗为300mW，在连续工作条件下能够保持良好的性能。漏极电流额定值为300mA，适合用于低到中等功率的开关应用，如逻辑电路控制、LED驱动和继电器驱动等。
2N7002PS,115 MOSFET被广泛应用于多个领域，包括消费电子、工业自动化、汽车电子和通信设备等。在消费电子产品中，它可用于电源管理、电池充电控制和信号切换电路。例如，在便携式设备中，它可以用于控制不同功能模块的电源供应，以提高能效和延长电池寿命。
在工业自动化系统中，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的输入/输出模块，用于控制继电器、传感器和执行器的开关操作。其高可靠性和宽温度范围使其非常适合在工业环境中使用。
在汽车电子应用中，2N7002PS,115可用于车载电源管理系统、LED照明控制以及传感器信号切换等场景。其封装形式和温度特性使其能够在车辆运行的复杂环境中稳定工作。
此外，该MOSFET也常用于通信设备中的电源开关和信号路由电路，提供高效的信号控制和电源管理功能。
2N7002K,215
2N7002E,215
BSS138,215
FDS6675AS
Si2302DS
