型号：FCH30B10
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：30 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：38 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：50 mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：67 nC
　　输入电容（Ciss）：2090 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：14 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：45 ns
　　反向恢复时间（trr）：40 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220FP / D2PAK

FCH30B10采用先进的超级结（Super Junction）结构与沟道优化设计，显著降低了导通损耗和开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。其低RDS(on)值确保了在大电流条件下仍能保持较低的导通压降，从而减少发热并提升系统效率。该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性，适用于严苛的工作环境。
　　得益于其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），FCH30B10能够实现快速的开关响应，有效降低驱动损耗，特别适合用于高频DC-DC变换器和同步整流电路。此外，其较短的开启和关断延迟时间有助于提高系统的动态响应能力，减少交叉导通风险。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，可进一步降低换流过程中的能量损耗，避免因反向恢复电流引起的电压尖峰问题。
　　该MOSFET还具备优良的热稳定性，可在高达+175°C的结温下持续运行，确保在高负载或高温环境中依然可靠工作。其封装设计提供了良好的热传导路径，便于通过散热片或PCB铜层进行有效散热。同时，器件符合RoHS环保标准，并具备高抗湿性和长期可靠性，适用于自动化焊接工艺，如回流焊。综合来看，FCH30B10在性能、可靠性和能效之间实现了良好平衡，是中高端功率应用的理想选择之一。

FCH30B10常用于各类开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、服务器电源和电信整流模块。其高电流处理能力和低导通损耗也使其适用于DC-DC降压/升压转换器，特别是在多相供电架构中作为主开关或同步整流管使用。此外，该器件广泛应用于电机驱动系统，如风扇控制、电动工具和家用电器中的BLDC电机控制器。
　　在工业自动化领域，FCH30B10可用于PLC输出模块、固态继电器和H桥驱动电路中，提供高效的功率切换功能。其高耐压和强电流特性也使其适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池管理系统（BMS）等新能源相关设备。由于其出色的热性能和可靠性，该器件还可用于车载辅助电源系统和充电桩内部的功率级设计。
　　在消费类电子产品中，FCH30B10可用于大功率LED驱动电源、游戏主机电源模块和智能家电的电源管理单元。其快速开关特性支持高频率操作，有助于减小外围滤波元件体积，从而实现更紧凑的设计。总体而言，FCH30B10凭借其优异的电气性能和稳健的封装结构，成为多种中高功率电子系统中不可或缺的核心元器件。

FQP30N10
　　IRF3205
　　STP30NE10
　　IPB041N10N5