FCH30A10 时间：2025/12/29 13:10:56 阅读：15

FCH30A10是一款高性能的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由安森美半导体（ON Semiconductor）生产。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。FCH30A10具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于中高功率的电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（@Tc=25℃）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220AB
　　导通电阻（Rds(on)）：最大10毫欧姆（@Vgs=10V，Id=30A）

特性

FCH30A10具有多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　其次，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，优化了开关性能，使其适用于高频开关应用。
　　此外，该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，提高了在高压或高能脉冲条件下的可靠性。
　　由于其出色的电气性能和耐用性，FCH30A10适用于各种苛刻环境下的功率管理应用。

应用

FCH30A10广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）
　　? DC-DC转换器（如升压、降压和反相转换器）
　　? 电机驱动和控制电路
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 负载开关和电源管理模块
　　? 工业自动化设备和电源分配系统
　　? 太阳能逆变器和储能系统
　　? 电动汽车（EV）充电设备和车载电源系统
　　? 高效LED照明驱动电路
　　? UPS（不间断电源）系统