时间：2025/12/26 21:07:39
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FCH30A09是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高性能、低成本的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率开关场合。该器件采用先进的Trench沟槽技术制造，能够在低导通电阻与高开关速度之间实现良好平衡，从而降低系统功耗并提升整体能效。FCH30A09特别适用于需要紧凑设计和高效热性能的应用场景，其封装形式为Power 88（也称SuperSOT?-8），具有优良的散热能力，适合在空间受限但要求高电流承载能力的电路中使用。该MOSFET的额定电压为30V，最大连续漏极电流可达17A，使其成为便携式设备、笔记本电脑电源管理、电池供电系统以及各类消费类电子产品中的理想选择。此外，FCH30A09具备良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高高频工作下的效率表现。器件还内置了快速体二极管，适用于反向电流续流路径的应用环境。
型号：FCH30A09
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大连续漏极电流（Id）：17 A
最大脉冲漏极电流（Idm）：68 A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.3 mΩ
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：6.2 mΩ
阈值电压（Vth）：典型值1.5 V，范围1.0~2.5 V
输入电容（Ciss）：典型值1300 pF
输出电容（Coss）：典型值440 pF
反向恢复时间（trr）：典型值18 ns
栅极电荷（Qg）@10V：典型值28 nC
功率耗散（Pd）：2.5 W
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：Power 88 (SuperSOT-8)
