时间：2025/4/30 16:42:50
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FCH20N60是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该MOSFET采用TO-247封装形式，适合大功率应用场合。其出色的热性能和电气特性使其成为高性能电力电子设计的理想选择。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：75nC
输入电容：1690pF
总电荷：320nC
开关时间：ton=80ns, toff=50ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
FCH20N60具备以下主要特性：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压环境下的开关应用。
2. 低导通电阻（0.18Ω），减少导通状态下的功耗。
3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
4. 低栅极电荷和总电荷，可提高高频工作效率。
5. TO-247封装提供优秀的散热性能，确保在高电流条件下的稳定性。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境。
FCH20N60的典型应用场景包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动电路中的开关元件。
3. 不间断电源（UPS）和逆变器中的功率转换模块。
4. 各类工业控制设备中的功率管理部分。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关设备。
IRFP460, FDP18N60, STP20N60F5
