FCH20A04 时间：2025/12/29 13:45:42 阅读：14

FCH20A04 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽工艺技术，具有低导通电阻、高电流容量和快速开关性能。FCH20A04 通常封装在 TO-252（DPAK）封装中，适用于表面贴装技术，便于在 PCB 上安装和散热。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：20A（最大）
　　漏极-源极电压（VDS）：40V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.043Ω @ VGS = 10V
　　导通阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

FCH20A04 功率 MOSFET 具备多项优异的电气和热性能特性，首先，其低导通电阻 RDS(on) 仅为 0.043Ω，在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，优化了载流能力和热阻，从而提升了整体性能。
　　其次，FCH20A04 具有较高的电流承载能力，最大漏极电流可达 20A，适用于高功率密度设计。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的栅极驱动，兼容多种常见的驱动电路，如 PWM 控制器和逻辑 IC。　　此外，FCH20A04 内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要快速恢复的电路拓扑，如 DC-DC 转换器和同步整流器。

应用

FCH20A04 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电源管理系统以及电池供电设备中的功率控制部分。此外，它也适用于同步整流器设计，用于提高电源转换效率。
　　在汽车电子系统中，FCH20A04 可用于车身控制模块、车载充电器和 LED 照明驱动电路。其高可靠性和宽工作温度范围使其在工业控制、自动化设备和通信电源系统中也得到了广泛应用。