时间：2025/5/23 17:20:08
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NCV8164ASN180T1G 是一款高性能、高可靠性 N 沟道增强型 MOSFET，专为汽车电子应用设计。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备出色的开关特性和低导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低功耗并提高系统效率。此外，NCV8164 支持高电压操作，并在恶劣的工作环境下表现出卓越的稳定性和耐用性。
该器件广泛用于负载开关、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效率和高可靠性的场景。
型号：NCV8164ASN180T1G
类型：N沟道MOSFET
VDS(漏源极击穿电压)：60V
Rds(on)(导通电阻，在25°C时)：1.8mΩ
ID(连续漏极电流)：170A
VGSTH(阈值电压)：2.2V~4.0V
封装形式：TO-220FP
工作温度范围：-40℃~175℃
NCV8164ASN180T1G 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低传导损耗，提升整体效率。
2. 高额定电流能力 (170A)，适合大功率应用场景。
3. 工作温度范围宽 (-40℃ 至 +175℃)，适用于极端环境下的汽车应用。
4. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车环境中的高可靠性和长寿命。
5. 封装采用 TO-220FP，具有良好的散热性能和机械强度。
6. 提供快速开关能力，支持高频应用，如 DC-DC 转换器和电机控制。
7. 内置 ESD 保护功能，提高抗静电能力，进一步增强器件的稳定性。
NCV8164ASN180T1G 广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统，例如发动机控制单元 (ECU)、车载充电器 (OBC) 和车身控制系统。
2. 高效 DC-DC 转换器，用于电源管理。
3. 电机驱动电路，特别是在电动车窗、雨刷和座椅调节等应用中。
4. 大电流负载开关，满足各种高功率需求的应用。
5. 工业自动化设备和家用电器中的功率转换模块。
6. 其他需要高可靠性 MOSFET 的场合，如太阳能逆变器和 UPS 系统。
NCV8163, IRF540N, FDP5500
