时间：2025/8/24 21:55:28
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FCH190N65F_F085是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高效能应用设计。这款MOSFET的额定电压为650V，最大连续漏极电流为190A，适合需要高电流和高电压处理能力的场景。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：190A
导通电阻(Rds(on))：85mΩ
封装类型：TO-247
工作温度范围：-55°C至150°C
功率耗散(Pd)：300W
FCH190N65F_F085具有低导通电阻（Rds(on)）的特点，这使得它在导通状态下能够提供较低的电压降，从而减少能量损耗并提高整体效率。此外，这款MOSFET的设计确保了在高温条件下依然能够稳定工作，其高功率耗散能力（300W）允许它在高负载环境下运行而不会过热。
该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的稳定性和可靠性。其封装形式为TO-247，这种封装不仅便于散热，而且易于安装在散热片上，从而进一步提高器件的热性能。FCH190N65F_F085还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。
FCH190N65F_F085广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器和UPS（不间断电源）系统。由于其高电流和高电压处理能力，它也常用于工业自动化设备和电力电子系统中，作为关键的功率开关元件。
在开关电源中，FCH190N65F_F085用于高效能转换，能够有效减少能量损耗并提高电源的整体效率。在电机控制应用中，这款MOSFET可以用来调节电机的速度和扭矩，确保系统的平稳运行。
FCH200N65F_F085, FGP190N650S_F085
