QMV300CT5 时间：2025/8/12 17:48:16 阅读：14

QMV300CT5是一款由Qorvo公司生产的高功率射频晶体管，属于碳化硅（SiC）功率MOSFET类别。该器件专为高频率和高功率应用而设计，具备良好的热稳定性和效率，广泛应用于射频放大器、通信系统、雷达设备和工业加热系统等领域。

参数

类型：碳化硅（SiC）功率MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：300A
　　最大漏源电压（Vds）：1700V
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：CT5（双列直插式陶瓷封装）
　　栅极电荷（Qg）：180nC
　　输入电容（Ciss）：11nF
　　输出电容（Coss）：2.3nF
　　反向恢复电荷（Qrr）：12μC
　　最大工作频率：100kHz（典型应用）

特性

QMV300CT5采用先进的碳化硅（SiC）半导体技术，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，使其在高功率密度和高能效方面表现优异。
　　其高击穿电压（1700V）使其适用于高电压应用，同时具备良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行。
　　该器件的封装设计（CT5）提供了良好的散热性能，有助于提高整体系统的可靠性和寿命。
　　此外，QMV300CT5具有较低的开关损耗和导通损耗，能够显著提升电源转换效率，并减少对外部散热装置的依赖，从而降低整体系统成本。
　　由于其高频工作能力和高耐压特性，QMV300CT5特别适合用于谐振转换器、逆变器、DC-DC转换器以及工业和通信领域的功率放大器应用。

应用

QMV300CT5广泛应用于高功率密度的电力电子系统中，如工业电机驱动、可再生能源系统（太阳能逆变器、风力发电变流器）、电动汽车充电设备、储能系统以及通信基站电源等。
　　此外，该器件也适用于高频开关电源和高效率DC-DC转换器设计，满足对高可靠性和高效率有严格要求的应用场景。
　　在工业领域，QMV300CT5可用于高频感应加热设备、等离子切割机和激光电源等设备中，提供稳定高效的功率输出。