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FCH077N65F_F085 发布时间 时间:2025/8/24 23:33:10 查看 阅读:5

FCH077N65F_F085 是一款由ONSEMI(安森美半导体)设计和制造的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率、高密度电源转换应用。该器件采用先进的超级结(Super Junction)技术,具有较低的导通电阻和开关损耗,适用于诸如电源适配器、服务器电源、电信设备电源、PFC(功率因数校正)电路等高性能要求的应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id)@25°C:77A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为0.085Ω(在Vgs=10V时)
  栅极电荷(Qg):典型值为73nC
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  技术:超级结MOSFET技术
  功率耗散(Pd):典型值为300W

特性

FCH077N65F_F085 采用先进的超级结MOSFET技术,使得其在高压应用中实现了极低的导通电阻和出色的开关性能。该器件在650V的电压等级下,具备高达77A的连续漏极电流能力,使得其在高功率密度设计中表现出色。此外,该MOSFET具有较低的栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),从而显著降低了开关损耗,提高了系统效率。
  该器件的封装采用TO-247形式,具备良好的热管理和散热性能,适用于高负载条件下的长时间运行。其Rds(on)在Vgs=10V时仅为0.085Ω,确保在导通状态下的损耗最小化,从而提升整体能效。同时,FCH077N65F_F085 的高雪崩能量能力确保其在严苛的电路环境中具备良好的稳定性和可靠性。
  该MOSFET的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,适用于多种工业和高温环境应用。此外,其封装材料符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

FCH077N65F_F085 广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统中,如服务器电源、电信设备电源、工业电源、PFC(功率因数校正)电路、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电池充电系统、太阳能逆变器、电机控制和LED照明电源等。该器件的高性能特性使其成为高效率、高密度电源解决方案的理想选择。

替代型号

FCH077N65F_F085 的替代型号包括FCH077N65S、FCH077N65F、FCH077N65FS_F085,以及其他具有类似参数的N沟道650V超级结MOSFET,例如STF7N65M5、IPW65R080CFD7等。在替换时应仔细核对电气参数、封装形式和热性能,以确保与目标电路的兼容性。

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