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FCH025N65S3 发布时间 时间:2025/8/24 20:30:50 查看 阅读:11

FCH025N65S3 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适用于如电源转换器、电机控制、负载开关以及电池管理系统等应用。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(VDS):650V
  漏极电流(ID)@25°C:25A
  导通电阻(RDS(on)):0.25Ω
  栅极电压(VGS):±20V
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK等

特性

FCH025N65S3 具备多项优异的电气和机械特性,确保其在各种高功率应用中的稳定性和可靠性。
  首先,该MOSFET的导通电阻(RDS(on))为0.25Ω,这意味着在高电流下其导通损耗较低,从而提高了系统效率。这一特性在电源转换器和DC-DC转换器中尤为重要,有助于实现更高的能效和更小的散热设计需求。
  其次,该器件的漏源电压(VDS)额定值为650V,适用于中高功率的开关电源(SMPS)和工业电机控制应用。其高耐压能力使得FCH025N65S3能够承受瞬态过压和电压尖峰,提升了系统的鲁棒性。
  此外,该MOSFET的最大连续漏极电流在25°C时为25A,这使其能够在高负载条件下稳定工作。栅极电压范围为±20V,提供了良好的栅极驱动兼容性,支持标准和逻辑电平驱动电路。
  封装方面,FCH025N65S3采用TO-220或D2PAK等常见功率封装形式,具备良好的散热性能和机械稳定性,适用于工业级和消费类应用中的高可靠性需求。
  最后,该器件的内部结构优化了开关性能,具有较快的上升和下降时间,降低了开关损耗。这使得FCH025N65S3非常适合用于高频开关应用,如逆变器、马达驱动器和LED照明驱动电路。

应用

FCH025N65S3 广泛应用于多个领域,主要包括:
  1. **开关电源(SMPS)**:用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和电源适配器中,提供高效的电源转换能力。
  2. **马达控制与驱动**:用于直流马达控制、步进马达驱动和电动工具等场合,具备良好的电流承载能力和快速响应性能。
  3. **负载开关与电池管理系统**:用于电池供电设备中的负载切换、充放电控制和电源管理模块。
  4. **逆变器与UPS系统**:用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等系统中,作为主开关元件实现高效率的能量转换。
  5. **LED照明驱动**:用于高功率LED照明系统中的恒流控制和开关调节电路。
  6. **工业自动化与控制**:用于PLC、继电器替代和工业自动化系统中的高可靠性开关控制。

替代型号

FCH030N65S3、FQP24N60、IRFGB40N60B、STF25N65M5

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