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FCD7N60TM 发布时间 时间:2025/5/22 11:47:43 查看 阅读:4

FCD7N60TM 是一款 N 沣道通半导体推出的沟槽型场截止 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要应用于高频开关和高效功率转换场景。该器件采用先进的封装技术,具有低导通损耗和高频率切换能力的特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电机驱动等高效率功率转换应用领域。
  该型号的额定电压为 600V,能够承受较高的电压波动,并且具备快速恢复性能,从而减少开关过程中的能量损失。此外,其卓越的热稳定性和可靠性使其在恶劣工作条件下依然表现出色。

参数

集电极-发射极击穿电压:600V
  连续集电极电流:15A
  典型导通压降 (Vce(sat)):1.5V
  关断时间 (t(off)):85ns
  开通时间 (t(on)):82ns
  最大功耗:360W
  结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-247

特性

FCD7N60TM 具备以下显著特性:
  1. 高效开关性能:由于采用了场截止技术,该器件能够在高频下实现较低的开关损耗,同时保持稳定的导通特性。
  2. 热稳定性强:即使在高温环境下运行,也能维持较低的导通压降,延长使用寿命。
  3. 快速恢复二极管集成:内置快速恢复体二极管,进一步优化了开关速度并减少了能量损失。
  4. 高可靠性设计:通过严格的制造工艺控制,确保在长时间使用中具备优异的耐用性。
  5. 宽温度范围支持:从低温到高温均可正常工作,适应多种应用场景需求。
  6. 小体积大功率:紧凑的封装结构结合高效的功率输出能力,适合对空间要求严格的系统设计。

应用

这款 IGBT 广泛用于需要高效功率转换和高频开关的应用场景,具体包括:
  1. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中实现直流到交流的高效转换。
  2. 不间断电源 (UPS):为关键设备提供稳定可靠的电力供应。
  3. 电机驱动:用于工业自动化设备中的高效电机控制。
  4. 电动汽车充电站:实现快速充电的同时保证高效率和低热量产生。
  5. 焊接设备:在焊接过程中提供精确的电流控制以提高焊接质量。
  6. 变频空调及家电:用于家用电器中的节能变频技术实现。

替代型号

FCH7N60TM, FCD7N60T4

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FCD7N60TM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最大83W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FCD7N60TM-NDFCD7N60TMTR