类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.8mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：6.8mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

FCD130080Z采用先进的Trench沟槽结构设计，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其Rds(on)值在Vgs=10V时仅为4.8mΩ，在Vgs=4.5V时为6.8mΩ，适用于低电压驱动电路，兼容多种控制器和驱动器的输出能力。
　　该器件具有优异的热稳定性，在高负载条件下依然能保持稳定工作，适用于高功率密度应用场景。其DPAK封装具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB板，从而提升整体系统的稳定性。
　　FCD130080Z还具备出色的开关特性，包括低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），有助于提高开关频率并降低开关损耗，适用于高频开关电源、同步整流和马达控制等应用。
　　此外，该MOSFET具有较高的雪崩耐量和抗短路能力，增强了器件在严苛工作环境下的可靠性和耐用性。这使其成为工业电源、服务器电源、电信设备、电动工具和汽车电子等领域的理想选择。

FCD130080Z适用于多种高功率和高频应用场合，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、电源分配系统、服务器电源模块、通信电源以及汽车电子中的功率控制模块。
　　在DC-DC转换器中，FCD130080Z可作为主开关或同步整流器使用，因其低导通电阻和高开关速度，可显著提高转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制和电动工具应用中，该器件的高电流承载能力和优良的热管理特性，使其能够承受频繁启停和过载工况，保障系统的稳定运行。
　　此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、电源适配器、UPS不间断电源系统和LED照明驱动电路中，提供高效、可靠的功率控制解决方案。

FCH070N60F, FDP80N30, IRF1324S-7PbF, FDS8870