时间：2025/6/11 13:37:26
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FCB20N60F 是一款 N 没有导通型功率场效应晶体管（MOSFET），采用超薄芯片技术设计，具有高效率、低导通电阻和快速开关速度的特点。它适用于高频开关应用场合，例如 DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动以及各种电源管理电路。该器件封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
这款 MOSFET 的主要特点是其优化的栅极电荷性能，能够显著降低开关损耗，同时其低导通电阻有助于提高系统整体效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅源开启电压：4V
总栅极电荷：35nC
输入电容：1100pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
FCB20N60F 具备以下显著特点：
1. 高电压耐受能力：额定漏源电压高达 600V，可适应多种高压应用场景。
2. 大电流处理能力：支持 20A 的连续漏极电流输出。
3. 极低导通电阻：在同类产品中具备较低的导通电阻，有助于减少导通损耗。
4. 快速开关特性：得益于其优化的栅极电荷设计，开关速度更快，从而减少开关损耗。
5. 宽温度范围：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内稳定运行。
6. 小型化封装：TO-252 封装便于表面贴装，并提供良好的散热性能。
FCB20N60F 广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：控制步进电机、直流无刷电机等。
3. 逆变器：家用或工业用太阳能逆变器及 UPS 系统。
4. 工业自动化设备：如伺服驱动器和 PLC 控制系统。
5. LED 驱动器：大功率 LED 照明应用中的电流调节。
6. 其他高频开关应用：如电子负载和电池管理系统。
FCB20N60,
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