型号：60N06G-TQ2-R
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：120A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：480A
　　导通电阻(RDS(on))：6.0mΩ @ VGS = 10V, ID = 60A
　　导通电阻(RDS(on))：7.5mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 60A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容(Ciss)：10000pF @ VDS = 30V
　　输出电容(Coss)：2300pF @ VDS = 30V
　　反向恢复时间(trr)：35ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

60N06G-TQ2-R采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的折衷关系，从而实现了卓越的开关效率和功率密度。其低RDS(on)特性使得在大电流条件下导通损耗大幅降低，提高了系统整体能效，特别适用于高频率开关电源设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在典型工作条件下约为100nC @ 10V，有助于减少驱动电路的功耗并提升开关速度。同时，其米勒电荷（Qsw）也经过优化，有效抑制了开关过程中的振荡和电磁干扰（EMI），增强了系统的电磁兼容性。该MOSFET具备良好的热性能，TO-252封装提供了较低的热阻（RθJC ≈ 1.0°C/W），有利于热量从芯片传导至PCB，结合适当的散热设计可支持持续高负载运行。器件的体二极管具有较快的反向恢复特性，trr约为35ns，减少了在感性负载切换时的反向恢复损耗，提升了在电机驱动和同步整流应用中的表现。此外，60N06G-TQ2-R经过严格的雪崩能量测试，具备一定的抗雪崩能力，能够在异常电压尖峰下保持稳定，避免因瞬态过压导致的器件击穿。其栅氧层设计坚固，能够承受±20V的栅源电压，提高了在复杂电磁环境下的可靠性。所有参数均在宽温度范围内保持稳定，确保在工业级甚至部分汽车级应用场景中可靠运行。该器件还通过了AEC-Q101认证的版本可供选择，适用于车载电子系统。由于其高度集成化和标准化封装，60N06G-TQ2-R易于替换和升级，是现代高效电源系统中的理想选择之一。
　　

60N06G-TQ2-R广泛应用于多种需要高效功率开关的场合。在DC-DC转换器中，它常用于降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构，作为主开关或同步整流器，实现高效率的能量转换，常见于服务器电源、通信电源和嵌入式电源模块。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机或BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路，凭借其低导通电阻和快速开关特性，有效减少发热并提升响应速度。在电池管理系统（BMS）中，60N06G-TQ2-R可用于充放电控制开关，确保电池组的安全运行。此外，它还适用于逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源以及各类消费电子产品如电视、显示器、笔记本电脑适配器等的电源部分。在工业控制设备中，该MOSFET可用于PLC输出模块、继电器替代方案或固态开关，提供更长的寿命和更高的可靠性。由于其表面贴装封装（TO-252），非常适合自动化SMT生产线，提高了生产效率并降低了组装成本。在太阳能微逆变器和储能系统中，该器件也可用于功率调节单元，支持高效率能量回馈。其宽泛的工作温度范围使其能在严苛环境下稳定运行，适用于工业、汽车辅助系统及户外设备。总之，60N06G-TQ2-R凭借其高性能、高可靠性和广泛适用性，已成为众多电源和功率控制应用中的关键元件。
　　

AOTF60N06L,AOZ60N06U