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FCB11N60TM 发布时间 时间:2025/7/16 11:35:17 查看 阅读:7

FCB11N60TM 是一款 N 沒道型功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和快速开关性能,适用于高效率电源转换、电机驱动和其他功率管理领域。
  FCB11N60TM 的封装形式通常为 TO-247 或类似的表面贴装封装,这有助于提高散热性能并减少寄生电感的影响。其耐压能力高达 600V,能够承受较高的电压波动,同时具备较低的 Rds(on),从而降低传导损耗。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:11A
  导通电阻(Rds(on)):180mΩ
  栅极阈值电压:2V 至 4V
  总功耗:175W
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-247

特性

FCB11N60TM 的主要特性包括以下几点:
  1. 高击穿电压:600V 的额定电压使其适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 180mΩ,显著降低了传导损耗。
  3. 快速开关性能:优化的栅极电荷设计减少了开关损耗,并提升了高频下的效率。
  4. 良好的热性能:通过高效的 TO-247 封装设计,增强了器件的散热能力。
  5. 可靠性高:经过严格的测试流程,确保在恶劣环境下的稳定运行。
  6. ESD 保护:内置静电防护功能,提高了产品的鲁棒性。

应用

FCB11N60TM 广泛应用于需要高效功率转换的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 离线式 AC/DC 转换器
   - DC/DC 转换器
  2. 电机驱动:
   - 工业自动化设备中的无刷直流电机控制
   - 家用电器中的变频电机驱动
  3. 逆变器:
   - 太阳能逆变器
   - 不间断电源(UPS)系统
  4. 电池管理系统(BMS):
   - 电动汽车或储能系统的充放电控制
  5. LED 驱动器:
   - 高亮度 LED 照明的恒流控制
  由于其出色的性能和可靠性,该器件非常适合对效率和稳定性要求较高的应用。

替代型号

FCB11N60,
  IRFP460,
  STP11NM60,
  FDP11N60

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FCB11N60TM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1490pF @ 25V
  • 功率 - 最大125W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FCB11N60TMTRFCB11N60TM_NLFCB11N60TM_NLTRFCB11N60TM_NLTR-ND