M21131-12 时间：2025/9/2 7:10:36 阅读：28

M21131-12 是一款由 Texas Instruments（TI）推出的双极型晶体管（BJT）阵列集成电路，主要用于高性能模拟和数字电路设计。该器件内部集成了两个独立的 NPN 晶体管，具有良好的匹配性能和温度稳定性，适用于差分放大器、电流镜、开关电路等多种应用场合。M21131-12 是一种军用级器件，符合 MIL-PRF-38534 标准，适用于对可靠性要求较高的航空航天、军工设备和工业控制系统。

参数

类型：NPN 双极型晶体管阵列
　　晶体管数量：2 个独立 NPN 晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：10 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大基极电流（Ib）：1 mA
　　最大功耗：200 mW
　　增益带宽积（fT）：250 MHz（典型值）
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据工作电流不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TO-52 金属封装

特性

M21131-12 具有出色的电气特性和高度的集成可靠性。其内部两个 NPN 晶体管采用单片集成技术，确保了晶体管之间的良好匹配性，包括一致的电流增益、基极-发射极电压（Vbe）匹配和温度系数一致性。这种匹配性能对于差分放大器和电流镜应用至关重要，可以有效减少失真和温度漂移。
　　该器件采用双极型工艺制造，具有高速响应能力，增益带宽积高达 250 MHz，适合用于中高频模拟信号处理。此外，其最大集电极-发射极电压为 30V，允许在较宽的电源电压范围内工作，增强了电路设计的灵活性。
　　M21131-12 属于军用级产品，符合 MIL-PRF-38534 标准，具有高可靠性和抗环境干扰能力，可在极端温度和振动条件下稳定工作。这使其特别适用于航空航天、军事装备和高要求的工业控制系统。
　　在封装方面，M21131-12 使用 TO-52 金属封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装和焊接。该封装也有助于提高器件的长期稳定性和抗电磁干扰能力。

应用

M21131-12 主要用于需要高性能晶体管匹配和高稳定性的模拟和混合信号电路中。典型应用包括差分放大器、电流镜、电压参考源、开关电路、运算放大器前端输入级、温度补偿电路等。
　　由于其良好的匹配性和温度稳定性，M21131-12 特别适合用于精密测量设备和传感器接口电路，如应变片放大器、热电偶信号调理电路等。
　　在军工和航空航天领域，M21131-12 可用于雷达系统、通信设备、飞行控制系统等关键电子模块，满足高可靠性要求。
　　此外，该器件也可用于工业自动化控制系统的信号调理和驱动电路中，如 PLC 模拟输入模块、工业仪表和测试设备等。