时间：2025/8/24 21:42:37
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FCB11N60TM-NL是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要设计用于高效率的电源转换和电机控制等应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术和优化的芯片设计，提供优异的导通电阻和开关性能，适用于各种工业、消费类和汽车电子系统。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：11A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大值为0.45Ω（在Vgs=10V条件下）
栅极电压(Vgs)：±30V
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：150W
FCB11N60TM-NL的特性包括低导通电阻，这有助于降低功率损耗并提高系统效率；高耐压能力使其适用于600V的高压应用；优化的开关特性可以减少开关损耗，提高系统整体性能。此外，该MOSFET还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高负载和高温环境下稳定工作。其TO-220封装形式便于安装和散热管理，适用于多种电路设计。该器件还具有较高的抗雪崩能力和过载保护功能，适用于要求高可靠性的应用场景。
在制造工艺上，FCB11N60TM-NL采用了先进的沟槽栅极技术，有效降低了Rds(on)，同时提升了栅极稳定性。其芯片设计优化了电场分布，提高了器件的耐压能力。该MOSFET还具备快速恢复二极管特性，在同步整流等应用中表现优异。
FCB11N60TM-NL广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、UPS系统、电机驱动和功率因数校正(PFC)电路等。它也适用于LED照明驱动、家电控制板和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和耐压能力，该器件在新能源汽车充电设备和光伏逆变器等绿色能源领域也有广泛应用。
FQA11N60C、FQP11N60、FCB11N60CD、IRFBC40、K2543
