晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150 °C
　　封装类型：SOT-23
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　电流增益带宽乘积（GBW）：100 MHz
　　直流电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）

FC0330UTP晶体管具备多项优异特性，使其在高频和低噪声应用中表现出色。首先，其NPN结构设计确保了在高频信号下的稳定工作，过渡频率（fT）高达100 MHz，适用于射频和中频放大器的设计。其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，用户可以根据具体应用需求选择合适的等级，从而优化电路性能。此外，FC0330UTP的SOT-23封装形式具有较小的体积和良好的热稳定性，有助于在高密度PCB设计中节省空间并提高可靠性。该晶体管的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压为30 V，能够在较高的电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理应用。FC0330UTP还具备较低的饱和压降（Vce_sat），确保在开关应用中实现更高效的能量转换。最后，该器件的低噪声系数和高线性度使其在音频放大、射频前端和传感器信号调理等应用中表现出色，能够提供清晰的信号传输和较低的失真率。

FC0330UTP晶体管广泛应用于多个领域，包括射频（RF）放大器、低噪声前置放大器、高速开关电路、音频放大器、传感器接口电路以及工业自动化控制系统。在无线通信系统中，该晶体管可用于中继器、基站和无线接入点的射频信号放大模块。在消费类电子产品中，如音频设备、遥控器和智能家居控制系统，FC0330UTP可用于信号放大和逻辑控制。此外，该晶体管还可用于电源管理电路、LED驱动电路和电池管理系统，以实现高效的能量控制。在工业控制领域，FC0330UTP可用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和电机驱动电路中的信号处理和开关控制部分，确保系统的稳定性和响应速度。由于其优异的高频性能和低噪声特性，该晶体管也常用于测试设备、测量仪器和数据采集系统中的信号处理模块。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A、PN2222A