时间：2025/5/22 14:30:47
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FBMH3225HM601NT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关晶体管，专为高频、高效率应用而设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关速度，能够显著提升电源转换系统的性能。
其封装形式为 3.2 x 2.5 mm 的微型 QFN 封装，适合空间受限的设计场景，同时具备出色的散热性能。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：60mΩ
栅极阈值电压：1.8V - 3.6V
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装类型：QFN-8
FBMH3225HM601NT 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能，支持高达 5MHz 的开关频率，适用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
3. 内置过流保护和热关断功能，确保在异常条件下器件的安全运行。
4. 出色的抗电磁干扰能力，降低了对外部电路的噪声影响。
5. 微型封装设计，便于集成到紧凑型产品中。
6. 高可靠性，在高温和高湿度环境下仍能保持稳定的性能。
这款芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源适配器及充电器，例如快充设备。
2. LED 驱动器，用于高效照明系统。
3. 通信电源模块，如基站电源解决方案。
4. 消费类电子产品中的电源管理单元。
5. 工业级逆变器与电机驱动控制。
6. 可再生能源领域的光伏微型逆变器。
GTH060R060M1B, NTR6008HMG
